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蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發(fā)源：電阻式蒸發(fā)源簡單、經濟、可靠，可以做成不同的容量、形狀并具有不同的電特性。電子槍加熱蒸發(fā)源：有時很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發(fā)，例如常用于可見光和近紅外光學
電阻加熱蒸發(fā)源優(yōu)點：1.結構簡單、使用方便、造價低廉，因此使用普遍；2.可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。要求：1.蒸發(fā)源材料的自身熔點要高；2.飽和蒸汽壓要低；3.化學性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時，功率密度變化較小；4.蒸發(fā)源對膜材料
蒸發(fā)鍍膜涉及到的相變固-氣相變：即升華。在這一過程中，源材料從固態(tài)直接轉變?yōu)闅鈶B(tài)，而不經歷液態(tài)。這需要足夠的能量的才能發(fā)生的，一般用加熱的方式可以實現。氣-固相變：即冷凝，升華的逆過程。當蒸發(fā)出的氣態(tài)物質遇到冷卻的襯底時，它們會凝結在其上，形成固態(tài)的薄膜。這是一個從氣態(tài)到固態(tài)的相變過程。什么是蒸汽壓
蒸發(fā)鍍膜是一種常用的薄膜制備技術，使用蒸發(fā)源將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后通過蒸發(fā)的材料沉積在基材表面形成薄膜。以下是幾種常見的蒸發(fā)源類型：電子束蒸發(fā)源：利用電子束將材料加熱至蒸發(fā)溫度，然后蒸發(fā)在基材上。電子束蒸發(fā)源具有高溫度和高速度的優(yōu)勢，適用于多種材料的蒸發(fā)。熱阻蒸發(fā)源：通過通電使蒸發(fā)源中的阻焊絲加
MBE技術是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術?，F代MBE生長系統(tǒng)的背景真空度可達 1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發(fā)生碰撞。MBE技術的關鍵III,V族元素分別加熱到溫度Ti,Tj形成的束 引入到溫度為Ts的襯底上生長薄膜，
反射式高能電子衍射(簡稱rheed)將能量為10～50keV的單能電子掠射 (1°～3°)到晶體表面，其反射束帶有晶體表面信息，并呈現于熒光屏。當入射電子束與晶面簇的夾角θ、晶面間距和電子束波長λ三者之間滿足布喇格公式時，則沿此晶面簇對入射束的反射方向有衍射束產生，從而得到表面結構的全部信息。反射式
在選擇坩堝形狀時，個原則是和諧k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個前提之后再來考慮其他的方面。這是因為如果形狀不匹配，加熱就會不均勻，一方面測溫不準會影響實驗可重復性，另一方面坩堝各個部分熱膨脹不均勻可能會導致?lián)p壞。接下來再考慮其他方面的問題。原教旨的k-cell想象一個封閉的盒子個封閉的盒子，
電阻加熱蒸發(fā)源優(yōu)點:結構簡單、使用方便、造價低廉,因此使用普遍;可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬,蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物.要求:1.蒸發(fā)源材料的自身熔點要高;2.飽和蒸汽壓要低;3.化學性能要穩(wěn)定,且具有良好的耐熱性,熱源變化時,功率密度變化較小;4.蒸發(fā)源對膜材料的&qu
超高真空低溫掃描隧道顯微鏡（LT-STM）是在超高真空(優(yōu)于1*10-9 mbar)、低溫（LHe或者LN2）下,以單個原子或分子為的微小探針掃描樣品表面，依據量子力學的電子隧道效應，記錄針尖到樣品之前的pA級的微弱隧穿電流或者自旋分辨電流，表征材料表面亞原子級的結構、電子態(tài)、自旋態(tài)、電、磁輸運及表
（1）窒息MBE外延設備要在超高真空條件下工作，需要使用氮氣源吹掃置換；噴射爐的爐口需使用液氮進行屏蔽。在現場設置氮氣/液氮鋼瓶或者通過管道輸送氮氣/液氮，如果氮氣瓶安全附件不齊全或有缺陷，氮氣/液氮管道的閥門、零件等腐蝕或存在缺陷，可能發(fā)生氣瓶或管道的泄漏，如果作業(yè)場所通風不良，人員防護不當，會引
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